硅、锗单晶电阻率测定　直排四探针法　GB/T 1552-1995
本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。
本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间

距4倍的硅、锗单晶圆片的电阻率。
非本征半导体材料导电类型测试方法　GB/T 1550-1997
本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。
本标准适用于非本征半导体材料导电类型的测定，其中详细地规定了锗和硅导电类型的测试方法。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得的可靠结果，对于非均

匀试样，可在其表面上测出不同导电类型区域。