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201210552098.2形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方 法及通过所述方法形成的介电薄膜

  • 专利类型:
    发明专利
  • 发  明  人:
    渡边敏昭 樱井英章 曽山信幸 纪尧姆·盖冈
  • 申  请  人:
    三菱综合材料株式会社
  • 地        址:
    日本东京
  • 状        态:
    公开
  • 文件大小:
    6.3 MB
  • 公  布  号:
    CN 103177797 A
  • 公  布  日:
    2013.06.26
  • 申  请  号:
    201210552098.2
  • 申  请  日:
    2012.12.18
  • 代理机构:
    北京德琦知识产权代理有限 公司 11018
  • 代  理  人:
    康泉 王珍仙
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专利介绍


本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物,其中,所述复合金属氧化物由包含铜(Cu) 的复合氧化物B和包含锰(Mn) 的复合氧化物C 混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A 中而形成,其中,复合氧化物B 与复合金属氧化物A 的摩尔比B/A 在0.002 < B/A < 0.05 的范围内,且复合氧化物C 与复合金属氧化物A 的摩尔比C/A 在0.002< C/A < 0.03 的范围内。

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