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201210566694.6包含锑氧化物的厚膜组合物及其在制备半导 体器件中的用途

  • 专利类型：
    发明专利
  • 发  明  人：
    M·赫尔特斯 M·内伊德特
  • 申  请  人：
    赫劳斯贵金属有限两和公司
  • 地        址：
    德国哈瑙
  • 状        态：
    公开
  • 文件大小：
    3.12 MB
  • 公  布  号：
    CN 103177788 A
  • 公  布  日：
    2013.06.26
  • 申  请  号：
    201210566694.6
  • 申  请  日：
    2012.12.24
  • 代理机构：
    北京市中咨律师事务所 11247
  • 代  理  人：
    肖威 刘金辉
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专利介绍


本发明提供一种用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池器件正面的厚膜组合物。所述组合物包含含氧化铋的玻璃料和作为所述玻璃料的一部分或者添加剂的锑氧化物。本发明进一步涉及一种通过使用所述厚膜组合物制备半导体器件的方法，以及包含所述半导体器件的制品，尤其是太阳能电池。所述太阳能电池显示出提高的效率。

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